Сборники тезисов • Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Выпуск 2 • ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ИССЛЕДОВАНИЯ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ AlGaN-СЛОЕВ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИЛАНА
УДК: 621.315.59:546.681:535.37
Аннотация:
Прямозонные полупроводники GaN и AlGaN – очень удобные материалы для
разработки светодиодов и фотодетекторов ультрафиолетового спектрального диапазона,
транзисторов с высокой подвижностью электронов, резонансно туннельных диодов. Изменяя
содержание Al в твердых растворах AlGaN, можно получать материал с шириной
запрещенной зоны от 3,43 до 6,2 эВ, покрывая, таким образом, спектральный диапазон 200–
187
365 нм. В процессе роста AlGaN-слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) из
аммиака в качестве источника легирования традиционно используется кремний. Примесь
кремния, однако, сложным образом воздействует на свойства выращенных слоев. Целью
работы было исследование влияния кремния на морфологию поверхности, структурные,
электрические и люминесцентные свойства слоев AlGaN.