Сборники тезисов • Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Выпуск 2 • ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ЗАВИСИМОСТЬ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GAN ОТ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ
УДК: 538.958
Аннотация:
C каждым годом расширяется область применения полупроводниковых материалов в
различных направлениях современной науки и индустрии. Нитрид галлия и разнообразные
наноструктуры на его основе относятся к числу широкозонных полупроводниковых систем
наиболее востребованных для прикладных и научных целей. Вследствие большой ширины
запрещенной зоны, эти полупроводники могут быть использованы в качестве материала для
создания УФ-лазеров и устройств, работающих при высоких температурах. В последние два
десятилетия энергетическая структура и динамика носителей заряда в нитриде галлия
интенсивно изучаются оптическими методами [1]. Большое количество работ посвящено
изучению зависимости излучательных и транспортных свойств GaN от типа и уровня
легирования (элементы II, IV и VI групп, группы железа и лантана и т.д.) [2–5]. Оптические
свойства кристаллов GaN со структурой вюрцита определяются переходами между тремя
валентными подзонами Г9 Г7 и Г7 и зоной проводимости Г6, которым соответствуют
экситонные резонансы с большими силами осциллятора (экситоны A, B и C соответственно).
Целью работы было изучение спектров экситонной люминесценции и спектров
комбинационного рассеяния света (КРС) эпитаксиальных слоев GaN с различной
концентрацией доноров (от 4,1·1016 до 4,8·1019 см–3).